TSMC、2024年内に2nmプロセスのリスク生産に入る見込み
TSMCは、2024年内に2nmプロセスのリスク生産に入る模様です。海外メディアのTechPowerUpが報じました。
台湾メディアのDigiTimesの報道によると、TSMCは2024年第4四半期(10～12月)に2nm (N2)プロセスノードのリスク生産に入る見込みだという。 2nmプロセスは台湾北部に位置する新竹サイエンスパークの新しい工場で生産する予定だ。リスク生産が順調に進めば、2025年第2四半期(4～6月)には大量生産を開始する。それまでは、引き続き3nm (N3)ファミリーが最先端ノードとなる。 2nmプロセスはこれまでのFinFETではなく、GAA (Gate All Around)構造を採用する。 ［Source: TechPowerUp］ |
GAA FETは、FinFETよりもリーク電流を抑えて、さらに高効率を実現するとされています。